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微波開關(guān)芯片的研究與設(shè)計

1.1 研究動機(jī)

無線通信市場巨大的潛力、 微波系統(tǒng)高度集成化的趨勢和半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)共同推動著微波集成電路產(chǎn)品不斷地發(fā)展和創(chuàng)新。 在過去 20 年里， 通信技術(shù)的迅猛發(fā)展使微波器件經(jīng)歷了爆發(fā)式的增長， 隨著 5G 和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展， 通信標(biāo)準(zhǔn)逐漸向高頻段的微波甚至毫米波頻譜拓展， 多模多頻和“萬物互聯(lián)” 將使微波前端芯片的需求量急劇增加， 這為微波集成電路提供了更為巨大的發(fā)展機(jī)遇和市場需求， 在可預(yù)見的未來， 微波集成電路將更加深刻地影響著人們的生活。 微波集成電路采用的工藝主要有 GaAs、 SiGe BiCMOS、 體硅 CMOS 和SOI CMOS， 它們的優(yōu)缺點比較如表 1-1 所示。 目前， SiGe BiCMOS、 體硅 CMOS和 SOI CMOS 的發(fā)展越來越受到人們的重視， 硅基工藝在成本和易于集成方面具有先天優(yōu)勢， 但在擊穿電壓方面還有挑戰(zhàn)。

（5） 對于微波模塊， 集成的解決方案不需要模塊間實現(xiàn) 50Ω 的阻抗匹配,這使得模塊級間匹配更為靈活， 性能往往也更加優(yōu)越。集成的優(yōu)勢使微波電路在設(shè)計、 功率、 優(yōu)化、 靈活性、 性能和成本等方面的巨大改善， 推動著微波集成電路不斷向前發(fā)展。

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