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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級(jí)電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡(jiǎn)介。

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超級(jí)電容器芯片的制作方法簡(jiǎn)介②

4.如權(quán)利要求1中所述的超級(jí)電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S3中所述正電極/負(fù)電極包括碳基材料、RuO 2 、NiO、Co 3 O 4 、MnO 2 、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩中的任一種。5.如權(quán)利要求1中所述的超級(jí)電容器芯片的制備方法， 其特征在于： 步驟S3中所述固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)包括PEO/LiCl、PVA/KOH+H 2 O、Li 2 S-P 2 S 5 PAAK/KOH+H 2O、PEO/KOH+H 2 O、PVA/H 2SO 4 、PVA/H 3 PO 4、PVA/LiCl中的任一種。6.如權(quán)利要求1中所述的超級(jí)電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S4中所述封裝膜的材料包括聚二甲基硅氧烷，所述聚二甲基硅氧烷通過(guò)對(duì)所述多層膜進(jìn)行包覆以實(shí)現(xiàn)封裝保護(hù)。7.一種超級(jí)電容器芯片，其特征在于：所述超級(jí)電容器芯片可利用如上述權(quán)利要求1-6中所述的超級(jí)電容器芯片的制備方法得到，所述超級(jí)電容器芯片包括在襯底上依次形成的兩個(gè)獨(dú)立設(shè)置的集流體、正電極、固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜及負(fù)電極，其中，兩個(gè)集流體分別電連接至所述導(dǎo)電線路，其中一集流與正電極電接觸，另一集流體與負(fù)電極電接觸，所述固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜設(shè)于所述正電極與所述負(fù)電極之間；所述襯底的材料為PET，所述集流體的材料為金屬銅， 所述正電極的材料為碳， 所述固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜的材料為PEO/LiCl，所述負(fù)電極的材料為碳，所述封裝膜的材料為聚二甲基硅氧烷。8.一種超級(jí)電容器，其特征在于：所述超級(jí)電容器利用多個(gè)如上述權(quán)利要求7中所述的超級(jí)電容器芯片進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)得到，且多個(gè)所述超級(jí)電容器芯片之間呈陣列分布。9.如權(quán)利要求8中所述的超級(jí)電容器，其特征在于： 所述導(dǎo)電線路包括引線和金手指，每一所述超級(jí)電容器芯片的所述正電極/負(fù)電極上均設(shè)有所述引線，所述金手指設(shè)于所述超級(jí)電容器陣列線路集中的一端，所述引線匯集至所述金手指處并與所述金手指連通。10.如權(quán)利要求9中所述的超級(jí)電容器，其特征在于： 所述超級(jí)電容器還包括電路控制模塊，所述電路控制模塊包括電芯陣列金手指端和用能端插拔口 ，所述用能端插拔口位于電路控制模塊遠(yuǎn)離所述超級(jí)電容器的一側(cè)，所述用能端插拔口可插拔，通過(guò)對(duì)所述用能端插拔口的插拔可實(shí)現(xiàn)所述電路控制模塊對(duì)所述超級(jí)電容器的控制。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 2200pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 22pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-20-100V-220
容值/容差：22pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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